SD20N60 坏了能用 25 N 120 代换吗？急急急！

★创新家电★ · 发表于 2018-11-17 16:07:39

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是32寸创维电源板上的

7522980 · 发表于 2018-11-17 16:26:26

一个是20A600V场效应管，另一个是25A1200V IGBT 不能代换

独孤九剑 · 发表于 2018-11-17 16:26:44

20N60参数；N沟最大电流20.7A 最大电压650V TO-247封装，25N120参数：最大电压1200V 最大电流25A TO-3P封装，两者在参数上是可以代换，但是20N60是MOS管，而25N120是IGBT管，两者的驱动参数是不一样的，而且封装形式也不一样。

ww5063128 · 发表于 2018-11-17 17:41:16

独孤九剑发表于 2018-11-17 16:26
20N60参数；N沟最大电流20.7A 最大电压650V TO-247封装，25N120参数：最大电压1200V 最大电流25A TO-3P ...

请科普一哈它们的结构区别啊！

bin1796622789 · 发表于 2018-11-18 07:11:28

20n60应该很常用，你没有可以去30ah电动车充电器中拆。那个就是2060

hxueren1 · 发表于 2018-11-18 10:34:42

这个不会

东方联想s · 发表于 2018-11-18 11:23:32

不能代换的

春法维修 · 发表于 2018-11-18 11:45:57

不能代换，IGBT管开关频率不及场管，驱动要求比场管稍严，代换有可能炸管。

独孤九剑 · 发表于 2018-11-19 10:12:35

ww5063128 发表于 2018-11-17 17:41
请科普一哈它们的结构区别啊！

哈哈，这两天比较忙，再就是具体比较两者的参数的篇幅比较大，本人的能力有限，对打字比较犯愁

今天给简单的回复一下，从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题；从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右，MOS管的优势在于驱动电压较低，一般都在0.5V一下，开关速度快（开关速度50万次左右/每秒），由于IGBT管属于复合管，这两项参数上是有劣势的。
IGBT管的优势在于，由于是复合管单个管的电流可以做到很大，能达到100A以上，这是MOS管所不具备的（MOS管单管最大的不超过20A）但是IGBT管的开关速度慢20-30KHZ，最快的不超过40KHz,它的驱动电压也比MOS管高。
综上所述只是本人的浅见，不对之处请大师斧正。

ww5063128 · 发表于 2018-11-19 14:40:20

独孤九剑发表于 2018-11-19 10:12
哈哈，这两天比较忙，再就是具体比较两者的参数的篇幅比较大，本人的能力有限，对打字比较犯愁今 ...

十分感谢，您的科普！

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