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[电磁炉] IGBT电路分析

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发表于 2016-6-20 15:53:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
RT809HSE编程器

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本帖最后由 gf2133 于 2016-6-20 19:50 编辑

8050与8550对管驱动电路输入高低电平只有一个管通,理解不了.

360.jpg

IC2D输出端输出高低电平后,Q3,Q4状态(个人认为当IC2D输出高电平时,Q3,Q4基极都是高电平,Q3导通,输出点电压为18V(也是Q4的发射极),Q4发射极电压大于基极电压大于集电极电压Q4也导通。当IC2D输入低电平时,Q3截至(因为集电极=18V,发射极=0,基极电压<0,所以截止))
以上是自己分析的,感觉不对,请高手指点

另外低电平与高电平都是分别指多大的电压,高电平>0,低电平<0吗?




12102516049226.jpg

A点输入高电平Q4导通,B点电压为15V,通过电阻R4连接到Q1,Q2的基极,由于Q1的集电极电压为15V,基极电压小于15V大于0V
发射极电压为0V,所以Q1导通,D点电压为15V,我不理解Q2为何会截止?因为Q1导通所以D点电压为15V,即Q2的发射极电压为15V,基极电压小于15V大于0V
集电极电压为0,应该Q2也导通啊?实在理解不了

还有当D点电压为15V,通过R2驱动IGBT管,网上说VD4相当于开路,R2为断开的?他是写错了吗?实在理解不了


期盼大侠们的指点!!!
发表于 2016-6-20 22:51:08 | 显示全部楼层
本帖最后由 wangji 于 2016-6-20 23:20 编辑

1)上图
  LM339 输出是OC门,当输出高电平,内部三极管截止,IC本身不提供输出电流,当输出低电平时,内部三极管导通到地.
  IGBT 输入特性是呈容性跟MOS管一样 FGA25N120AN 2000多PF,IHW15N120R 1880多pF.
  LM339 D输出高电平时,18V 通过R42 给Q3基极加高电位Q3导通(Q4发射极比基极低0.6V  Q4截止),给IGBT 对G加高电平给G极充电,IGBT导通.
当LM339输出低电平,Q3,Q4基极变低电平,Q3截止,由于IGBT G极高电平时充有电荷,Q4发射极高于基极,Q4导通,把IGBT G极电荷放掉,IGBT加速截止.
2)下图
R1<R2
当A为高电平时,当D高于E,VD4截止的,当于开路.
当A为低电平时,当D低于E时,VD4导通,IGBT G极,通过VD4 R1加速放电,IGBT加速截止.
发表于 2016-6-20 23:34:22 来自手机 | 显示全部楼层
RT809HSE编程器
wangji 发表于 2016-6-20 22:51
1)上图
  LM339 输出是OC门,当输出高电平,内部三极管截止,IC本身不提供输出电流,当输出低电平时,内部三极 ...

也喜欢理论讨论,学习了,谢谢!
发表于 2016-6-21 00:06:30 来自手机 | 显示全部楼层
一楼兄弟说得对!给您点赞!
 楼主| 发表于 2016-6-21 00:31:48 来自手机 | 显示全部楼层
我还是不明白加速截止是什么意思?
发表于 2016-6-21 00:55:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 wangji 于 2016-6-21 01:06 编辑
星回云忆 发表于 2016-6-21 00:31
我还是不明白加速截止是什么意思?


放电时E高于D点,VD4导通,R1与R2并联。加速IGBT,G极放电。
发表于 2016-6-21 06:24:01 | 显示全部楼层
也喜欢理论讨论,学习了,谢谢
 楼主| 发表于 2016-6-21 08:01:11 来自手机 | 显示全部楼层
感谢大家的帮忙,明白许多了,剩下的我慢慢消化吧
发表于 2016-6-21 21:30:16 | 显示全部楼层
一楼分析的很不错啊,学习了
发表于 2018-9-27 17:52:37 | 显示全部楼层
wangji 发表于 2016-6-20 22:51
1)上图
  LM339 输出是OC门,当输出高电平,内部三极管截止,IC本身不提供输出电流,当输出低电平时,内部三极 ...

请教老师,下图Q2在什么情况下导通呢?
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