求助:这个存储数据怎么写? 本帖最后由 c56-402 于 2026-5-23 14:38 编辑
修到一台创维32E3000(8S31),用户报修前一天看得好好的关机,第二天开机蓝灯黑屏不开机,检测主板电源正常,灯条正常,根据经验应该就是下图的这个存储芯片数据出错了,这种WS0N8无引脚封装芯片之前没碰到过,4脚接地,7、8为3.3V,看起来像25系列引导芯片。
平时维修时经常碰到25引导数据了出错,EMMC芯片使用寿命已尽故障,但这个芯片第一次碰到,可以用RT809H吗?引脚焊出来?
芯片故障
006: 引脚接触良好。
007: 自动识别到24个ID相符的型号。
008: 当前所选:GD5F1GQ4UB(ECC_DIS)@WSON8,容量:1088M位,136M字节
015: 芯片ID校验正确。
016: 开始读取芯片......
017: 状态寄存器1数值:0x38,状态寄存器2数值:0x0 。
018: 读取成功,用时:98.88秒。
019: 自动校验...
020: 698字节校验不一致。因为NAND的位反转特性,每512字节允许1到4位不一致。
021: 校验完成,用时:98.9秒。
022: 缓冲区数据累加校验和:16位_0x7B6B ,32位_0x47007B6B ;
023: 用时:197.9秒,平均速率1441232字节/秒。
创维32E3000(5F1GQ4UBY1G)\GD5F1GQ4UB(ECC_DIS)@WSON8_20210901_134959创维32E3000.BIN
027: 文件已载入,累加校验和:16位_0xAAEC ,32位_0x42D7AAEC ;
028: 1脚朝上靠下对齐,禁用随意摆放
029: 引脚接触良好。
030: 芯片ID校验正确。
031: 准备写入芯片......
032: 自动擦除...
033: 擦除成功,用时:1.964秒。
034: 开始写入...
035: 写入成功,用时:71.45秒。
036: 自动校验...
037: 142字节校验不一致。因为NAND的位反转特性,每512字节允许1到4位不一致。
038: 有数据位于1个坏块中,如果上机不能工作,请换另一颗芯片重写,当前芯片可用于其他机型。
039: 校验完成,用时:78.17秒。
040: 用时:151.8秒,平均速率939695字节/秒。
041: >------------------------------------OK---------------------------------------<