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4054,4056充电芯片不带OVP为什么会是落后
我们都知道USB热拔插会产生浪涌和瞬间的尖峰电压。同时我们经收集工厂对市面上多家品牌常规充电芯片的反馈收集,我们会发现有2-5‰左右的不良,经过对芯片进行收集,开盖,研究,分析,收集到其中约50%是在瞬间尖峰电压过高导致超过芯片极限耐压,过高的电压把芯片内部打损坏。

在此没有过压保护OVP芯片(如下图产品)出来前,差不多在快充充电器兴起之前。我们一般对于浪涌尖峰的处理方式大概有三种:
1,正极加串电阻的方式,适合小电流,大电流会损耗电压值和效率,同时电流大时,电阻本身温度也会高,优点小,方便,缺点:适合500mA左右电流以下
2,加电解电容,电解电容的有较高的ESR等效串联电阻来吸收,有的人说陶瓷贴片电容也有,但是ESR低,起不到好的效果。优点成本低廉,缺点电容高度,放不下对体积有要求的产品,有不少局限性
3,加TVS管
4,加OVP过压保护芯片
平芯微同步推出了众多规格的过压OVP保护芯片,和增加了可调限流OCP+过压OCP二合一的保护芯片,满足很多场景需求。

在手机快充越来越多,基本知名品牌都把快充做新手机标配了,市面上快充充电器(5V,9V,12V,20V)也越来越多,我们知道产品都会被市场引导区分出中高低三种品质充电器出来。刚好在TWS耳机兴起的时候,过压保护OVP芯片才得到了重要,市场数量大幅度增加,耳机因为放在耳朵旁,距离人体脆弱的器官都太近,需要更好的保护。再加之国外客户很早就意识到了快充充电器万一损坏带来的危险,需要增加过压保护OVP芯片等等综合考虑。

平芯微也早早推出了集成OVP芯片+4056充电管理的单节锂电池充电芯片PW4056H,
也根据市场需求推出了集成输入耐压28V,6.8V的OVP过压保护和BAT脚耐压提高到20V的系列高品质,高双耐压产品单节锂电池充电芯片,PW4056HH(ESOP8封装,),PW4057H(SOT23-6封装),PW4054H(SOT23-5封装)

1,常见小电池几百mAH的我们一般根据LED灯指示选择有4054和4057,SOT23-5和SOT23-6的线性充电IC,平芯微的PW4054H和PW4057H在品质和可靠性尤为突出,具有输入OVP过压6.5V关闭充电,输入同时可以抗28V耐压,及时快充充电器误输入9V,12V也能不会损坏,正常没有这个功能的芯片,在如今快充充电器普及很高的环境下,PW4054H和PW4057H在高端电子产品具有很高位置。
2,电池1000-2000mah一般也有客户任然选择线性充电,但是选择具有更高电流的4056,最高1A,。4054,4056因为是线性充电,具有很强,简洁,容易的电路设计很受大家喜欢。在4056中,PW4056HH具备了输入OVP过压保护时,还具有电池耐高压20V保护,这个20V耐压很多人不理解,认为锂电池4.2V,
为什么需要20V耐压呢?
实际在电源领域,我们需要使用示波器和熟悉掌握才能在电源行业理解和分析。当锂电池再重负载放电时,如果突然的断开,会产生瞬间的浪涌电流和瞬间尖峰电压,这个瞬间的尖峰电压可能会达到6V,8V等,没有固定性,足够高的耐压,才能很多的面对不对情况下的应用环节和场景。
值得好的是,PW4054H和PW4057H,PW4056HH都是具有输入和输出高耐压的充电IC了。
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