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[电子元件] IRFS640这个场效应管是什么参数?

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发表于 2018-6-26 12:56:14 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
RT809HSE编程器

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这个场效应管是什么参数,百度上找不到IRFS640参数。
IMG_20180626_125359.jpg
发表于 2018-6-26 13:08:13 | 显示全部楼层
IRF640,采用TO-220AB 封装方式。
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.15ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:18A
电流, Idm 脉冲:72A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
发表于 2018-6-26 15:06:59 | 显示全部楼层
RT809HSE编程器
眼神真好啊。
发表于 2018-6-26 15:23:10 | 显示全部楼层
碰到这种情况一般百度搜索一下基本都能查到。
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